本套配置采用高真空不銹鋼腔體，腔體設(shè)置帶擋板的石英觀察窗，便于實(shí)驗(yàn)的觀察記錄；腔體設(shè)計(jì)真空性能優(yōu)良，造型小巧，十分適合實(shí)驗(yàn)室使用。同時(shí)設(shè)備配有旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺(tái)，可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質(zhì)量。整機(jī)采用模塊化設(shè)計(jì)，操作邏輯簡(jiǎn)單，操作界面直觀，利于上手。

單靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	桌面型不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀
產(chǎn)品型號(hào)	CY-MSP190S-1T-RF
安裝條件	1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh； 2、設(shè)備供電：AC220V，50Hz，必須有良好接地； 3、額定功率：1500w（整機(jī)含電源）； 4、設(shè)備用氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣清洗，需客戶自備氬氣，純度 ≥99.99%； 5、擺放工作臺(tái)尺寸要求 600mm×600mm×700mm，承重 80kg 以上； 6、擺放位置要求通風(fēng)散熱良好。
技術(shù)參數(shù)	1、 濺射電源：射頻電源300W；*大輸出電壓600V，極限輸出電流500mA 2、 磁控靶：2英寸平衡靶，配磁耦合擋板； 3、 磁控靶適用靶材： φ50mm x 3mm厚 4、 腔體尺寸：外徑φ194mm ，內(nèi)徑186mm x 高230mm； 5、 腔體材質(zhì)： 304不銹鋼 6、 旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺(tái)：轉(zhuǎn)速1~20rpm  連續(xù)可調(diào)；加熱溫度*高500℃，升溫速度推薦10℃/min，*高20℃/min。 7、 冷卻方式：磁控靶及分子泵需要循環(huán)水冷機(jī)； 8、 水冷機(jī)：水箱容積9L，流速10L/min 9、 供氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量計(jì)， 氣體類型Ar氣，流量1~100sccm（可定制）； 10、 流量計(jì)精度：±1.5%量程 11、 真空腔體抽氣接口為 KF40； 12、 進(jìn)氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭； 13、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏； 14、 可調(diào)節(jié)濺射電流，可設(shè)置濺射**電流值、**真空值； 15、 **保護(hù)：過流、真空過低自動(dòng)切斷濺射電流； 16、 極限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)； 17、 真空測(cè)量為電阻規(guī)真空計(jì)，其量程為：1～105Pa
注意事項(xiàng)	1、磁控濺射工作真空較高，一般在2Pa之內(nèi)，需要配分子泵使用。 2、為了達(dá)到較高的無氧環(huán)境，至少要用高純惰性氣體對(duì)真空腔體清洗 3 次。 3、磁控濺射對(duì)進(jìn)氣量比較敏感，需要使用質(zhì)量流量計(jì)控制進(jìn)氣量
可選配件
膜厚監(jiān)測(cè)儀	1、膜厚分辨率：0.0136?（鋁） 2、膜厚準(zhǔn)確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置， 材料應(yīng)力，溫度和密度 3、測(cè)量速度：100ms-1s/次，可設(shè)置測(cè)量范圍：500000?（鋁） 4、標(biāo)準(zhǔn)傳感器晶體：6MHz 5、適用晶片頻率：6MHz 適用晶片尺寸：Φ14mm 安裝法蘭：CF35
其他配件	1、CY-CZK103系列高性能分子泵組（含復(fù)合真空計(jì)，測(cè)量范圍10-5Pa~105Pa）； CY-GZK60系列小型分子泵組（含復(fù)合真空計(jì)，測(cè)量范圍10-5Pa~102Pa） VRD-4雙極旋片真空泵； 2、KF40真空波紋管；長(zhǎng)度可選0.5m、1m、1.5m；KF40卡箍支架 3、膜厚儀晶振片；